半導體工程準備要領

半導體元件考科包含了兩個部分，一為半導體元件與物理；另一為半導體製程與技術，同學在準備上都要兼顧才能獲取高分，茲將重點說明

一、半導體元件與物理

1.晶體結構與材料物理：各種晶體結構與計算，尤其是以矽與鍺為主體的鑽石/閃鋅結構。

2.載子能帶與載子濃度：能帶圖與濃度之計算，並請注意敘述考題。

3.載子傳輸現象：平衡與非平衡下的移動說明與計算，應用連續方程式所進行的實驗也要注意。

4.PN接面：順偏與逆偏下的圖形繪製與公式推導，除了一般二極體外，同時也要進行漸變型接面之推導。

5.BJT電晶體：載子電流計算與物理架構，並請注意HBT的高速能力說明。

6.金屬－半導體接觸(MS contact)：能帶圖的繪製與電流機制計算外，尚有歐姆接觸之說明與異質接面。

7.金氧半場效電晶體(MOSFET)與短通道效應：先瞭解閘極電容結構後再進入MOSFET元件物理，尤其注意在尺寸縮小下所造成的影響，此外CMOS、SOI與HEMT元件特性也該注意。

8.光電元件：特別注意LED與太陽能電池之特性。

二、半導體製程與技術

1.晶圓成長技術與清潔步驟：晶圓化學反應與製程與晶片清洗的RCA步驟。

2.薄膜沉積技術：包含PVD與CVD設備原理，應用於氧化模型、薄膜沉積與所有的熱製程真空磊晶技術。

3.擴散與離子佈植技術：主要集中於離子佈植在劑量與能量控制下，如何控制雜質輪廓，說明效應與優缺點。

4.蝕刻技術：濕式蝕刻和乾式蝕刻的溶液與技術說明。

5.微影技術：將圖形複製轉移至晶片上形成圖案的中間過程，包含光阻塗佈、曝光與顯影，尤其是EUV微影製程與曝光參數計算。

6.元件物理與製程：半導體做成元件的中間技術，譬如LDD，自我對準、STI、CMP等平坦化技術。

7.CMOS製程整合技術：將製程整合做成CMOS元件，中間技術的所有敘述。

本科考題約為5-7題，因題數較多，每題無需複雜之計算，敘述題要強化，各種效應原因、優缺點與改善方法常在本科出現，尤其是製程技術約佔2題，因此也要小心。

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